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多孔硅蚀刻系统 POROUS SILICON UNIT µPorSi

多孔硅蚀刻系统PorSi是用于多孔硅形成和硅电抛光湿化学解决方案。与我们的PS2电源公司一起，MOT为这个领域的制造方法提供一站式的解决方案。作为一种选择，光学窗口允许光辅助多孔硅的形成。多孔硅形成系统μPorSi由于其灵活的排列和构造，是工业或研发R&D需求的理想工具。同时，在清除技术细节后，我们可以提供定制的解决方案。

技术特点

晶圆尺寸: Up to 300mm

应用范围: MEMS, CMOS, Sensor, PV, 研发或生产

蚀刻模块

· 整盒批量或者单片工艺，清洗、蚀刻、溶解 等工艺

· 客户定制工艺槽容量以及对应工艺设备定制

· PLC 控制

· 采用触摸屏为人机控制界面

配置选项

· 全自动机械手传输

· 工艺药水循环并过滤

· 超声或者兆声源可选

· 化学药水输送管理

· 片盒（夹具）抖动方式可选

· FFU层流过滤系统

清洗模块

· 标准:360度溢流清洗,

· 可选:QDR, SRD

设备设计结构

· 所有工艺单元都放置在前面操作区。

· 所有电气控制部分都放置在设备后面的维修区域，做到干湿分离。

· 去离子水枪和氮气枪装均配在操作区。

详情请您发邮件咨询我们的专家　

Info@dehongmp.com