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MOT硅腐蚀停止可控设备
电化学硅腐蚀停止可控系统 ETCHINGMODULE µCHEM-ECES
蚀刻单元μChem-ECES是电化学蚀刻-停止工艺的湿化学处理工具。电化学蚀刻-停止是制造薄单晶硅膜的最经济、方便和精确的技术之一。它是基于在碱性蚀刻溶液如氢氧化钾(KOH)中n型和p型掺杂硅层的不同蚀刻电位。由于灵活的布置和构造，蚀刻系统μChem是工业或R&D需求的理想工具。当然，在清楚技术细节后，我们也可以定制解决方案。
技术特点
晶圆尺寸: Up to 300mm
应用范围: MEMS, CMOS, 传感器, PV, 研发或生产
蚀刻模块
· 单片工艺设计
· 工艺槽设计具备过滤溢流
· 保持p/n结反向偏置并随时间监控电流的表
· 客户定制工艺槽容量以及对应工艺设备定制
· PLC 控制
· 采用触摸屏为人机控制界面
配置选项
· 全自动机械手传输
· 工艺药水循环并过滤
· 化学药水输送管理
· 片盒（夹具）抖动方式可选
· FFU层流过滤系统
清洗模块
· 标准:360度溢流清洗,
· 可选:QDR, SRD
设备设计结构
· 所有工艺单元都放置在前面操作区。
· 所有电气控制部分都放置在设备后面的维修区域，做到干湿分离。
· 去离子水枪和氮气枪装均配放在操作区。
